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node和php出货技巧_出货增长涨价野村猜测存储下半年表现更好 AI脱水

访客 2024-12-19 0

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来源:硬AI

市场都在说HBM供不应求,同时带动传统DRAM和NAND进一步涨价。

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那么以韩国为代表的存储市场,2季度到底表现如何,3季度会增长多少?

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(图片来自网络侵删)

野村落在昨天的报告中做了简要阐述。

2季度出货环比1%,6月环比增幅明显

2季度韩国半导体公司的内存收入将同比增长137%,环比增长29%,部分缘故原由是美元兑韩元的升值(美元/韩元汇率在2Q24等分别同比上涨9%和环比上涨4%)。

2季度内存出货量同比增长约10%,环比增长1%,DRAM和NAND价格均上涨约20%。

详细而言,6月份内存出口同比增长29%,环比增长85%至88亿美元,推动2Q内存出口达215亿美元(环比增长14%,同比增长94%)。

3季度环比连续增长,DRAM和NAND涨价10%

对付3季度,野村落进一步估量韩海内存收入将同比增长31%,环比连续增长,紧张由HBM产能扩展和商品价格上涨推动。

重点是,野村落估量韩国半导体公司的盈利能力将在2024年下半年显著提高。
同时由于HBM产能扩展和强劲需求,DRAM和NAND的商品价格上涨10%。

昨日的AI脱水中,硬AI指出了SK Hynix宣告了将投资103万亿韩元(约合747亿美元),操持在2028年之提高一步加强其面向人工智能存储芯片业务。

个中约80%(即82万亿韩元)的投资将用于发展高带宽內存(HBM)芯片,以推动与AI芯片发展的合营。

野村落在报告中给出了韩国半导体企业不同产品,不同工艺下的成本开支情形。
详细来看:

不同技能节点(Tech node)下,DRAM、NAND和晶圆代工每新增1万片产能所需的成本支出金额:

晶圆代工(Foundry):7nm需20万亿韩元,5nm需32万亿韩元,3nm需27万亿韩元3D NAND:128L需10万亿韩元,176L需14万亿韩元DRAM:1ynm需9万亿韩元,1znm需10万亿韩元,1anm需12万亿韩元

注:3D NAND的单位是“层”(L),DRAM的单位是“纳米”(nm),y z A分别代表第二、三、四代10nm工艺节点。

此前的古迹会上,公司还强调将在今年推出基于10纳米工艺的32Gb DDR5产品,这是第五代10纳米(1bnm)技能,以加强其在高容量做事器DRAM市场的领导地位。

本文来自华尔街见闻,欢迎下载APP查看更多

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